久久精品欧美日韩精品,欧美一区二区三区成人久久片,久久99精品国产麻豆婷婷,国产午夜成人av在线播放,人妻少妇偷人精品无码

 

北京慧享天下科技有限公司

BEIJING HUIXIANG TIANXIA TECHNOLOGY CO., LTD.

新聞中心

News center

2024年，這些半導體技術值得期待
來源: | 作者:網絡 | 發布(bu)時(shi)間: 629天前 | 522 次瀏覽(lan) | 分(fen)享(xiang)到(dao):
背面供電芯片


2024年上(shang)半年，英特爾將在Intel 20A制(zhi)程(cheng)節點首次采用(yong)(yong)背面(mian)供(gong)電(dian)技術(shu)。緊隨其后的是(shi)臺(tai)積電(dian)和三(san)星(xing)。臺(tai)積電(dian)將在2nm工藝(yi)上(shang)采用(yong)(yong)背面(mian)供(gong)電(dian)解決(jue)方(fang)案。三(san)星(xing)背面(mian)供(gong)電(dian)技術(shu)BSPDN將在2nm或者(zhe)1.4nm工藝(yi)上(shang)采用(yong)(yong)。


英(ying)(ying)特爾(er)代號為“Blue Sky Creek”的PowerVia背(bei)面(mian)供電(dian)測試芯片(pian)（圖片(pian)來源：英(ying)(ying)特爾(er)）


傳(chuan)統的(de)正(zheng)面(mian)供(gong)(gong)電(dian)(dian)(dian)(dian)技術要求(qiu)信號和(he)電(dian)(dian)(dian)(dian)源線(xian)(xian)(xian)路在晶圓正(zheng)面(mian)，對金屬層引腳(jiao)間(jian)距(ju)有要求(qiu)，限制(zhi)了(le)(le)芯(xin)(xin)片面(mian)積微(wei)縮(suo)。為使芯(xin)(xin)片制(zhi)程(cheng)繼續(xu)縮(suo)小，背面(mian)供(gong)(gong)電(dian)(dian)(dian)(dian)技術走進(jin)了(le)(le)人們的(de)視野，該項技術能夠將信號和(he)電(dian)(dian)(dian)(dian)源線(xian)(xian)(xian)路分離，將電(dian)(dian)(dian)(dian)源線(xian)(xian)(xian)路轉(zhuan)移(yi)到背面(mian)優化，從而提(ti)供(gong)(gong)更(geng)高效的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)源供(gong)(gong)應、更(geng)低溫度和(he)更(geng)靈(ling)活的(de)芯(xin)(xin)片布局。首(shou)個(ge)采用背面(mian)供(gong)(gong)電(dian)(dian)(dian)(dian)芯(xin)(xin)片的(de)推出，將吸引各大芯(xin)(xin)片制(zhi)造商的(de)關注和(he)投(tou)入，可能會引發新(xin)一輪(lun)先(xian)進(jin)制(zhi)程(cheng)的(de)競爭。


高數值孔徑光刻機


ASML將在(zai)2024年(nian)推(tui)出(chu)高數(shu)值孔徑（HighNA EUV）光刻(ke)機，引發各大(da)先進制(zhi)程(cheng)玩家爭相搶購。英特爾已經訂(ding)購了第一(yi)臺(tai)(tai)ASML NA EUV光刻(ke)機的(de)(de)實驗室版本，正(zheng)在(zai)評估(gu)是否用于(yu)Intel 18A制(zhi)程(cheng)的(de)(de)量產。此外(wai)，臺(tai)(tai)積電(dian)和三星(xing)都在(zai)爭相購買(mai)正(zheng)式(shi)版本的(de)(de)High NAEUV光刻(ke)機，用于(yu)2nm及以(yi)下制(zhi)程(cheng)。


High NA EUV光刻(ke)機能使光學系統(tong)的數值孔徑(jing)提(ti)升至0.55，達到比傳統(tong)掩模版更高(gao)的精(jing)度和光刻(ke)速度，是生產2nm及以(yi)下(xia)制(zhi)程節點的關鍵設備。因(yin)此(ci)，High NA EUV光刻(ke)機的正式推出(chu)，為先進制(zhi)程節點的進一步下(xia)探提(ti)供了技術基礎(chu)。


ASML光刻機發展流程（圖片來(lai)源：ASML）


然而，先(xian)進制程(cheng)玩家在使(shi)用High NA EUV光(guang)刻(ke)機的(de)(de)過程(cheng)中，必須克服成本價和耗(hao)電(dian)量的(de)(de)挑戰(zhan)。在1nm之前，采(cai)用高數值孔(kong)徑單次(ci)曝光(guang)的(de)(de)成本會高于采(cai)用低數值孔(kong)徑的(de)(de)多次(ci)曝光(guang)。此(ci)外，High-NAEUV光(guang)刻(ke)機對于光(guang)源的(de)(de)需求大幅提升(sheng)，耗(hao)電(dian)量將從1.5兆(zhao)(zhao)瓦提升(sheng)到2兆(zhao)(zhao)瓦。雖然先(xian)進制程(cheng)“三大家”爭先(xian)購買(mai)High NA EUV光(guang)刻(ke)機，但具(ju)體(ti)何時采(cai)用，還是未知(zhi)。


2nm EUV光刻膠MOR


2nm EUV光刻膠(jiao)金屬氧(yang)化物抗蝕劑（MOR）的(de)主(zhu)要生產(chan)(chan)商Inpria 2024年MOR的(de)產(chan)(chan)能將達10000加侖，可(ke)以(yi)滿足3000萬晶(jing)圓的(de)曝(pu)光，其(qi)MOR光刻膠(jiao)在2022年整年的(de)產(chan)(chan)能僅(jin)為(wei)2000加侖。


2nm EUV光(guang)刻膠(jiao)MOR（圖片來源：Inpria）


2nm制程領域(yu)所使用的 EUV光(guang)刻(ke)膠(jiao)(jiao)主要(yao)有(you)兩種，第一種是繼續采(cai)(cai)(cai)用7nm EUV光(guang)刻(ke)機的化(hua)學擴增抗蝕(shi)(shi)劑（CAR），第二(er)種是采(cai)(cai)(cai)用新(xin)的金屬氧化(hua)物抗蝕(shi)(shi)劑（MOR）。隨著英特(te)爾、臺積電、三星等半導(dao)體巨(ju)頭開始(shi)采(cai)(cai)(cai)購能實現2nm工(gong)藝(yi)的ASML High NA EUV光(guang)刻(ke)機，2nm EUV光(guang)刻(ke)膠(jiao)(jiao)MOR也將迎來新(xin)一輪(lun)的采(cai)(cai)(cai)購潮。


量子芯片


量子(zi)芯片是(shi)實(shi)現(xian)量子(zi)計(ji)算的(de)核心部件(jian)，也成為了眾多AI企(qi)業關注(zhu)的(de)焦點。IBM計(ji)劃在(zai)(zai)2024年(nian)實(shi)現(xian)100量子(zi)比特的(de)實(shi)際應用質(zhi)量達到電路(lu)深度水平。為了實(shi)現(xian)這一目(mu)標，IBM 將在(zai)(zai)美國、加拿大(da)、日(ri)本和德國建立(li)八個(ge)量子(zi)計(ji)算中心。IBM希望在(zai)(zai)2024年(nian)底，實(shi)現(xian)每個(ge)Heron處理器在(zai)(zai)單一量子(zi)電路(lu)中能夠(gou)執行五(wu)千次(ci)操作。


IBM量子發展路線圖以延(yan)長至2033年（圖片(pian)來源(yuan)：IBM）


雖(sui)然，量(liang)子芯片被視為處理海量(liang)數據(ju)(ju)的(de)(de)(de)新(xin)路徑，但由于其運行(xing)環(huan)境(jing)過于苛刻，距離大(da)規模應用尚需(xu)(xu)時日。但是，隨著AI技術(shu)的(de)(de)(de)不斷演進，業(ye)內(nei)對于量(liang)子芯片的(de)(de)(de)需(xu)(xu)求(qiu)也越發高(gao)漲。數據(ju)(ju)顯示，2024年，人工智能市場將飆升(sheng)至(zhi)驚人的(de)(de)(de)5543億美元，較(jiao)高(gao)的(de)(de)(de)市場需(xu)(xu)求(qiu)或將帶動量(liang)子芯片的(de)(de)(de)新(xin)一輪快速發展。


硅光子超高速芯片


臺積電瞄準2024年即將到(dao)來的(de)硅(gui)光(guang)子(zi)超(chao)高速芯片商(shang)機，已(yi)經組(zu)建了一支約200人的(de)研(yan)發(fa)團隊，并(bing)將攜手博(bo)通、英偉達等大客戶共(gong)同開發(fa)硅(gui)光(guang)子(zi)技(ji)術、光(guang)學(xue)共(gong)封裝等新產品(pin)。該技(ji)術適(shi)用于45nm到(dao)7nm的(de)芯片制(zhi)程，預(yu)計2024年下半年迎(ying)來大單。


數據來(lai)源：SEMI


硅光技術(shu)(shu)的發展可分為三個階(jie)(jie)(jie)段：第一階(jie)(jie)(jie)段是用硅做出光通信底層器(qi)件(jian)，達到(dao)工藝(yi)的標準化。第二階(jie)(jie)(jie)段是集(ji)成(cheng)(cheng)技術(shu)(shu)從(cong)耦合(he)集(ji)成(cheng)(cheng)向單片集(ji)成(cheng)(cheng)演進，實現部分集(ji)成(cheng)(cheng)，再把這(zhe)些器(qi)件(jian)通過不同器(qi)件(jian)的組合(he)構(gou)成(cheng)(cheng)不同的芯片。第三階(jie)(jie)(jie)段是光電一體技術(shu)(shu)融合(he)，實現光電全集(ji)成(cheng)(cheng)化。目(mu)前硅光技術(shu)(shu)已經發展到(dao)了(le)第二個階(jie)(jie)(jie)段，預計2024年會(hui)出現爆發式(shi)增長。


集成NPU的處理器


作為AI PC的算(suan)(suan)力中樞(shu)，集成了NPU計(ji)算(suan)(suan)單元的處理器將在(zai)2024年大規模推(tui)向市場。NPU是專門用于(yu)深度(du)學習計(ji)算(suan)(suan)的芯片，具有優異的計(ji)算(suan)(suan)效率(lv)和(he)能(neng)耗表(biao)現，能(neng)夠在(zai)短時間內(nei)完(wan)成大規模的神(shen)經網絡計(ji)算(suan)(suan)任務。搭載了NPU計(ji)算(suan)(suan)單元的處理器能(neng)夠提升計(ji)算(suan)(suan)機的能(neng)效比和(he)計(ji)算(suan)(suan)速度(du)。


英特爾內(nei)置NPU第(di)14代酷睿Ultra移(yi)動處理器


英(ying)特(te)(te)爾(er)英(ying)特(te)(te)爾(er)表示，2024年將(jiang)有(you)230多款機型(xing)搭載(zai)內(nei)置NPU的(de)(de)第14代酷睿Ultra移動處理器(qi)。蘋果將(jiang)在2024年發布搭載(zai)M3處理器(qi)的(de)(de)MacBook，并透(tou)露其(qi)M3處理器(qi)的(de)(de)NPU性(xing)能相較于(yu)(yu)M1提(ti)升(sheng)了60%。AMD首次加入獨(du)立NPU的(de)(de)銳龍(long)8040處理器(qi)將(jiang)于(yu)(yu)2024年初(chu)正式發布，AMD表示，加入NPU后處理器(qi)的(de)(de)大(da)語言模(mo)型(xing)性(xing)能提(ti)升(sheng)了40%。